晶元測試中高溫對測試探針機械性能的影響

       隨著半導體測試技術的不斷發展，高溫晶元測試已經逐漸成為主流，并且測試溫度逐年升高。在不斷改良硬件設施的性能外，如何通過持續改進工藝制程和參數來更好的保證高溫晶元測試的穩定性和安全性尤為重要

　　在晶元測試過程中探針卡的探針需要與晶元芯片表面PAD良好接觸以建立起測試機到芯片的電流通路。接觸的深度需要被控制在微米級，按照晶元層結構設計不同，通常在0.5微米到1.5微米之間較適宜。過淺會造成接觸不良導致測試結果不穩定，過深則會有潛在的破壞底層電路的風險。而最直接影響接觸深度的物理量就是OD(Over-Drive)。與室溫測試相比，由于整套測試硬件在高溫環境下會發生熱膨脹，且在測試過程中會表現出與熱源距離相關的持續波動性，要保證高溫測試的穩定安全，需要一套特殊的工藝流程來維持OD的相對穩定性。

      在探針卡的初始設計過程中必須考慮后期需要工作的溫度范圍。從PCB以及各種配件的材質選擇、元器件的耐溫性能、探針位置的預偏移量分析設計等多方面入手，盡量從源頭降低高溫對探針卡的形變影響。

　　高溫生產過程中的工藝控制也是減小測試影響的最重要的環節。一般通過預烤針和動態烤針、對針兩方面的操作來降低高溫對測試的影響。